ເທັກໂນໂລຢີ 3NM ເປີດເຜີຍ! Samsung ແບ່ງປັນລາຍລະອຽດຂອງຂະບວນການ 3Gae ຫຼ້າສຸດ

ໃນກອງປະຊຸມວົງຈອນການປະຊຸມວົງຈອນຂອງລັດ AIEEE AIEE AIEEE ທີ່ຜ່ານມາ, Samsung ໄດ້ແບ່ງປັນລາຍລະອຽດບາງຢ່າງຂອງການຜະລິດຊິບ 3NM Gae ຂອງມັນເອງ.

ອີງຕາມບົດລາຍງານລ້າສຸດທີ່ປ່ອຍອອກມາໂດຍ Digitimes, ຂະບວນການ 3NM ຂອງ TSMC ຈະເລີ່ມທົດລອງການຜະລິດໃນເຄິ່ງທີ່ສອງຂອງປີນີ້. ໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້, ການແຂ່ງຂັນລະຫວ່າງ Samsung ແລະ Tsmc ໃນຂະບວນການເຕັກໂນໂລຢີທີ່ກ້າວຫນ້າໄດ້ກາຍເປັນຄວາມຮຸນແຮງນັບມື້ນັບຮຸນແຮງຂື້ນ. ເຖິງແມ່ນວ່າ Samsung ໄດ້ຮັບການຊັກຊ້າຢູ່ເບື້ອງຫຼັງ TSMC, ມັນກໍາລັງຈັບຕົວຢູ່ສະເຫມີ.

ມີລາຍງານວ່າໃນແງ່ຂອງຂະບວນການ 3NM, TSMC ຍັງຢືນຢັນກ່ຽວກັບການໃຊ້ເທັກໂນໂລຢີ Finfet, ແຕ່ Samsung ໄດ້ເລືອກທີ່ຈະຫັນໄປສູ່ການຫັນປ່ຽນໄປທີ່ Nanochip Transistors.

ອີງຕາມການ SAMSCHOONG, ຮອງປະທານເອເລັກໂຕຣນິກໃນກອງປະຊຸມ, ການອອກແບບທີ່ມີໂຄງສ້າງທີ່ປະສົບຜົນສໍາເລັດເພາະວ່າເຕັກໂນໂລຢີສູງນີ້ສາມາດບໍລິໂພກພະລັງງານສູງແລະພື້ນທີ່ນ້ອຍ. "

ໃນຄວາມເປັນຈິງ, ໃນຕົ້ນປີ 2019, Samsung First ໄດ້ປະກາດຂະບວນການ 3NM ແລະໄດ້ແຈ້ງໃຫ້ຊັດເຈນວ່າມັນຈະປະຖິ້ມ Finfet. Samsung ແບ່ງຂະບວນການ 3NM ຂອງມັນເປັນ 3GAE ແລະ 3GAP. ໃນກອງປະຊຸມ, Samsung ກ່າວວ່າຂະບວນການ 3Gae ຈະບັນລຸໄດ້ເຖິງ 30%, ໃນຂະນະທີ່ການບໍລິໂພກພະລັງງານສາມາດຫຼຸດລົງ 50%, ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ transistor ກໍ່ສາມາດເພີ່ມຂື້ນໄດ້ 80%.

ເນື່ອງຈາກວ່າມັນສາມາດຊັກຊ້າຢູ່ເບື້ອງຫຼັງຂອງຂະບວນການຂະບວນການ 7nm ແລະ 5nm, Samsung ມີຄວາມຫວັງສູງສໍາລັບຂະບວນການ 3NM ແລະຫວັງວ່າຈະໃຊ້ Nanochip Transistors Tsmc.

ມີລາຍງານວ່າຂະບວນການ 3Gae ຂອງ Samsung ຄາດວ່າຈະໄດ້ຮັບການເປີດຕົວຢ່າງເປັນທາງການໃນປີ 2022, ແລະລາຍລະອຽດຫຼາຍຢ່າງທີ່ບົ່ງບອກວ່າ Samsung ໄດ້ກ້າວໄປຫນ້າອີກຄັ້ງໃນຂະບວນການ 3NM.

ການຕັດສິນຈາກໄລຍະເວລາຂອງການເປີດຕົວຂະບວນການ 3Gae ຂອງ Samsung, Samsung ແລະ TSMC ຈະມີການແຂ່ງຂັນຢ່າງແຮງສໍາລັບຂະບວນການ 3NM ທີ່ກ້າວຫນ້າໃນປີ 2022.